陶瓷基板参数

覆铜陶瓷基板参数 

材料Type	项目Item	数值（Value）	单位（Unit）
氮化铝陶瓷 AIN Ceramic	厚度 Thickness	0.635,0.5,0.38	mm
	密度 Density	3.3	g/cm³
	导热系数 Thermal Conductivity（25℃）	170	W/m.k
	抗弯强度 Bending Strength	400	Mpa
	介电常数 Dielectric Constant (1MHz）	9.0
	介电损耗 Dielectric Loss （1MHz,25）	0.0003
	击穿电压 Dielectric Strength	20	kV/mm
	电阻率 Resistivity（25℃）	1*1014	Ωcm

类型Type	项目Item	AIN(氮化铝)	SI₃N₄(氮化硅)	AI₂O₃氧化铝（96％）	氧化锆（ZrO₂9％）
基本性能 General Information	密度 Density（g/cm³）	3.3	3.22	3.75	4.0
	厚度 Thickness （mm）	1.0/0.635/0.38	0.32/0.25	1.0/0.635/0.38	0.32
	粗糙度 Roughness（μm）	Ra≤0.3	Ra≤0.4	Ra≤0.4	Ra≤0.4
力学性能 Mechanical Performance	抗弯强度 Bending Strength（MPa）	450	800	400	700
	弹性模量 Young’s modulus （GPa）	320	310	330	310
	维氏硬度 Vickers-hardness（GPa）	11	15	14	15
	断裂韧性 Fracture Toughness（MPa*M¹/²）	3	6.5	3	3.5
热学性能 Thermal Properties	热膨胀系数CTE 10⁻⁶/K（40-400℃）	4.6	2.6	6.7	7.1
	导热率 Thermal Conductivity（W/M*K）25℃	180	85	24	27
电学性能 Electrical Properties	介电常数 Dielectric Constant 1MHz	9.0	9.0	9.8	10.2
	介电损失因子 Dielectric Loss 1MHz	0.2×10⁻³	0.2×10⁻³	0.2×10⁻³	0.2×10⁻³
	电阻率 Resistivity 2℃，（Ω*M）	＞10¹⁴	＞10¹⁴	＞10¹⁴	＞10¹⁴
	击穿强度 Dielectric strength （KV/mm）	＞15	＞15	＞15	＞15

氧化铝陶瓷 Al203 Ceramic	成分 AI2O3 Content	＞96	％
	厚度 Thickness	1.00，0.76，0.63，0.5，0.38，0.32，0.25	mm
	密度 Density	3.78	g/cm³
	导热系数 Thermal Conductivity（25℃）	24	W/m.k
	抗弯强度 Bending Strength	400	Mpa
	介电常数 Dielectric Constant (1MHz）	9.8
	介电损耗 Dielectric Loss （1MHz,25）	0.0003
	击穿电压 Dielectric Strength	15	kV/mm
	电阻率 Resistivity（25℃）	1*10¹⁴	Ωcm

陶瓷覆铜基板可选材料和铜厚 / AVAILABLE MATERIAL & COPPER THICKNESS

材料 MaterialType	厚度 Thickness（mm）	铜片厚度Copper Thickness（mm）
		0.127	0.2	0.25	0.3	0.4	0.5	0.6	0.8
SI3N4（氮化硅）	0.25	——	——	——	——	——	√	——	√
	0.32	——	——	——	——	——	√	——	√
AIN（氮化铝）	0.32	√	√	√	√	√	——	——	——
	0.38	√	√	√	√	√	——	——	——
	0.64	√	√	√	√	√	——	——	——
	1	√	√	√	√	√	——	——	——
AI2O3（氧化铝）	1.0/0.76/0.64 /0.38/0.32	√	√	√	√	√	——	——	——

常规基板可供尺寸 / AVAILABLE SIZE OF STANDARD CERAMIC SUBSTRATE

基板材料 Type	陶瓷基板尺寸 Dimension（时/mm）	铜片厚度 Copper Thickness（mm）
AIN/Si3N4/AI2O3/ZTA	4.5″×4.5″/114.3×114.3	110×110
	5.5″×7.5″/139.7×190.5	135×185
说明：电路单元陶瓷小片，将用激光划片分割，尺寸精度≤±0.15mm

陶瓷覆铜基板性能测试 / DBC SUBSTRATE’S PERFORMANCE TEST

测试项目 Testing Items	标准或方法 Standards & Methods	性能指标 Capability （Copper thickness 0.3mm）
空洞率测试Porosity Test	X-ray & SAT	铜层与陶瓷的空洞率Porosity of copper foil and substrate  ≤0.3％(50μm Resolution)
铜片初始剥离测试Initial Peeling Test of Copper Foil	IPC-TM650 2.4.8	初始剥离强度Initial Peeling Strength ≥8N/mm
冷热循环测试Thermal Shock Test	GJB548B-2005-1010 ℃ MIL-STD-883J-1010 ℃ （﹣55℃↔+150℃）	AIN≥1000次 Si3N4≥4000次 ZTA≥1000次 Al2O3≥500次
可焊性测试Solderability Test	J-STD-003 TEST A1	焊接面积Welding Area≥97%
说明：冷热循环样板尺寸大小:40X30mm，陶瓷片厚度0.635mm，双面铜片厚度0.3mm。

表面处理能力 / SURFACE TREATMENT CAPABILITY

镀层Plating	Imm Ni: 3μm – 7μm （8％±2％P）
	Imm Au:0.025-0.1μm（Ni-Au，Ni-Pd-Au)
	Imm Ag:0.1-0.5μm
	OSP :0.2-0.6μm
表面粗糙度Roughness	Ra≤3μm; Rz≤7μm;Rmax=20μm
表面平整度Evenness	≤0.3％（根据用户线路图案的不同，平整度可能有变化The evenness may vary due to the different pattern of Circuit.)
说明：可根据用户需求，提供其它镀层和表面粗糙度，以及其它表面处理